自20世紀(jì)70年代開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)“20 kHz”的革命之后的一段時(shí)間內(nèi)，雖然在電路技術(shù)方面進(jìn)行了改進(jìn)和提高，但局限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體器件工業(yè)的發(fā)展水平，作為開(kāi)關(guān)電源主要部件的大功率開(kāi)關(guān)管的主要參數(shù)均滿足不了更高頻率、更大功率開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)要求。

　　高頻開(kāi)關(guān)整流器用功率管是什么

　　自20世紀(jì)80年代以來(lái)大功率、高反壓的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)功率管問(wèn)世之后，伴隨著開(kāi)關(guān)電源專(zhuān)用集成控制電路的應(yīng)用，已逐步將開(kāi)關(guān)電源的工作頻率提高到100kHz以上甚至達(dá)到500～700kHz。電源的體積和重量大大減小,單機(jī)輸出功率由過(guò)去的幾百瓦已發(fā)展到現(xiàn)在的幾千瓦。

　　MOSFET功率管的特性及主要參數(shù)

　　金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Seniconductor type Field-Effect Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET，是在近十幾年發(fā)展起來(lái)的一種高速、大功率、高耐壓的開(kāi)關(guān)器件，由于這種開(kāi)關(guān)功率管屬電壓控制型，穩(wěn)態(tài)工作時(shí)柵極控制電流很小，所以具有很高的電流增益和輸入阻抗。而且結(jié)電容很小，幾乎不存在儲(chǔ)存時(shí)間。

　　(a)和(b)分別為NPN 型雙極型晶體管和N溝道 MOSFET的表示符號(hào)。

　　(a)中雙極型晶體管的3個(gè)極分別為集電極(C)、基極(B)和發(fā)射極(E)，也就是我們一般所稱(chēng)的三極管。MOSFET 與之相對(duì)應(yīng)的3個(gè)極分別為漏極(D)、柵極(G)和源極(S)。N溝道MOSFET管工作時(shí)的電流流向與NPN型三極管電流流向相同，這就決定了MOSFET管在電路中的連接方法與NPN型三極管是一致的，但它們?cè)跇?gòu)造和工作方法上有很大的區(qū)別。根本的區(qū)別是MOSFET管是多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件而三極管是既利用多數(shù)載流子又利用少數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。

　　MOSFET管的靜態(tài)工作特性與雙極型晶體管的工作特性很相似，MOSFET管的輸出特性曲線。

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